[custom_headline type= »left » level= »h1″ looks_like= »h2″]Porte-objet MET 3 axes HATA[/custom_headline]

Axes Alpha, Beta et rotation planaire pour les applications Tomo ou APT

Rotation: Option IDS (Index Dock System)

L’étude tomographique des matériaux cristallins nécessite un alignement précis de l’orientation du cristal lors de la prise de série d’inclinaison. Avec le porte-objet MET HATA, il est possible d’aligner précisément l’inclinaison mais également la rotation azimutale.
L’option IDS permet une rotation précise de l’extrémité de la pointe avec une précision de 0.01 degrés.

L’angle de rotation est mesuré avec un système micrométrique possédant un affichage numérique de la valeur de rotation sélectionnée.
Valeur de rotation planaire avec l’option IDS (Index Dock System) : ± 5 °.
Résolution du pas de contrôle de l‘angle : 1/100 degrés.

L’option IDS nécessite une station de chargement de porte-objet dédiée pour le réglage fin de la rotation planaire.

La station de chargement est équipée d’un rétroéclairage à intensité variable par le dessous.

Microanalyse EDS

Cartouche amovible en extrémité de porte-objet pleinement dédiée à la microanalyse MET.
Géométrie de pointe innovante sans matière autour du berceau de l’échantillon.
Cartouches disponibles : Al, Cu, PEEK.

Extrémité de pointe (cartouche) amovible

Pointe amovible interchangeable suivant les expérimentations de l’utilisateur.
Cartouche disponible en Béryllium ou PEEK pour amélioration des performances en microanalyse EDX et réduction du niveau de bruit. Pleinement compatible avec détecteurs EDX Quad ou double SDD.
Corrélation facilitée pour flux de travail FIB, APT, SIMS et MEB.
Gain de temps avec possibilité de préparer plusieurs échantillons lorsque le porte-objet HATA est utilisé en observation MET.
Station de chargement dédiée pour le flux de travail APT/FIB/MET.

Compatibilité

Compatible avec les MET des fabricants JEOL et THERMO.

Collaboration scientifique

EMAT, Université d’Anvers.
Etude Tomo en mode STEM de dislocation de nano-grains de métal avec défauts induits par technique FIB.
3D junction of a single Al nanograin viewed along the thickness of the film, revealing multiple dislocation loops especially near to the top surface (indications of top & bottom surfaces relate to the FIB sample surfaces).
Three orthoslices selected at depth positions A, B and C in the grain shown in the left figure.
Only the top slice C show long dislocation lines pinned bear the surface of the film by point defect clusters created during FIB milling.
Auteurs : H.Driss, M.Mitsuhara, S.Hata, D.Schryvers et al.Microsc.Microcanal (2011).

Spécifications techniques

Valeur de Tilt :
Gamme de tilt Alpha (α) = ± 80 °.
Gamme de tilt Beta (β) = ± 7.5 °.
Haute stabilité pour résolution à l’échelle atomique.

Diagramme schématique du porte-objet HATA inséré entre les pièces polaires avec vue le long de l’axe d‘inclinaison, parallèlement aux directions longitudinales du porte-objet HATA.

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